在集成电路基础研究中奋力攀登（科技视点·科技自立自强青年奋勇担当①）(3)
回到学校，她屏息静气，先把可能的问题从头到尾梳理了几遍，然后重新评估：设计上哪些细节还需要调整，工艺上哪个环节还应该优化……找到症结所在后，她又对方案逐一修改、优化、改进。
在2015年博士毕业那年，黄芊芊和同伴们终于在CMC的产线上研制出世界上首个基于12英寸现行标准CMOS工艺平台的互补隧穿集成技术：在同一硅晶圆片上同时实现了性能优异的互补隧穿器件和标准CMOS器件的制备，隧穿器件的亚阈值摆幅在国际上基于制造厂商工艺的同类报道中首次实现低于60mV/dec，静态功耗比同尺寸MOSFET器件低3个数量级。
但是，从这一步到最终的目标仍有一定距离，还要面临优化工艺、解决良率等一系列问题。2015年—2017年做博士后期间，黄芊芊再接再厉，一门心思破解器件在产线上的涨落和可靠性等关键问题。
2017年9月，她博士后顺利出站，被北大聘为微纳电子学系研究员、博士生导师。她与北方集成电路技术创新中心等单位的科研团队联合申请了一项国家重点研发项目，朝着实现高可靠超低功耗晶体管技术产业化的目标继续行进。
“目前进展还不错，隧穿器件的电流开关比做到了业界国际领先，我觉得有望在未来几年内实现产业化应用。”黄芊芊说。
从2009年下半年算起，黄芊芊已经在超低功耗微纳电子器件这个研究领域跋涉了13年。
记者忍不住问她：“你为什么能一条道走到黑、坚持这么长时间？”
“就是觉得这个事情有意义。”黄芊芊说，从学界到产业界，现在还能坚持在硅基隧穿晶体管上做研究的，已经很少了。“因为我们一开始就是朝着产业化的方向做，所以能一直坚持下来，不然可能干个几年就要换方向了。”
“你在接手这个课题的时候，有没有想过其中的困难？”
“说实话，我没想过困难不困难的。”黄芊芊坦陈，“我就是大概知道我要干吗，其他的事情没怎么去想。但是当你真的要走到那儿的时候就会知道：这是多么不容易的事儿。”
“我知道它很难，但我也不会对未来想特别多，让自己焦虑或者怎样。”她的办法是，把目标拆解，一步一步往前推，争取每次比原来的自己更进步一点。
“就像爬珠穆朗玛峰，如果一开始就知道自己肯定上不去，你可能就不会上了。”黄芊芊说，“但我可以先到大本营，然后再慢慢往上走。走到半山腰、感觉自己爬不动的时候，我就会告诉自己：你都走到这份上了，干吗不再努力一把？”
黄芊芊跟记者分享了北大知名美学教授朱光潜先生的一句话：一个人的生活力之强弱，以能否朝抵抗力最大的路径为准，一个国家或是一个民族也是如此。
她特别喜欢这句话：“它简单质朴，没有什么华丽的辞藻，却把做事做人的道理讲透了。”
《 人民日报 》（ 2022年12月05日 19 版）
(责编：白宇、岳弘彬)
