中国科研人员发明单晶体管逻辑结构新原理(2)

现有的实验数据已经证明了，硫化钼沟道的厚度在大于4nm时，晶体管具备“或门”特性，而当沟道厚度减小到4nm以下时，可以通过光照条件在“与”门和“或”门之间自由切换。

 

这表明层状晶体管结构除了在面积利用率上有较大优势外，还具备更为丰富可控的特性。

 

“房间”合二为一，存算一体突破现有架构限制

 

新的逻辑架构可以通过器件级存算一体路径破解数据传输阻塞瓶颈问题，突破了现有逻辑系统中冯诺依曼架构的限制。

 

对存算一体、原位存储，周鹏打了个比方，“原先我们计算和存储数据需要两个房间跑，而现在所有数据的计算和存储都在同一个房间解决。”

 

在冯·诺依曼架构下，计算和存储是相互分离的。“就好比我们现在有两个房间，房间A专门用来计算数据，房间B用来存储数据，数据在经过计算之后要通过电子借由导线从房间A传输到房间B，这条导线就相当于连接两个房间的走廊。”周鹏解释道。随着技术的发展，数据的计算速度越来越快，与此同时存储速度和传输速度却未能得到同步提升。冯诺依曼架构的限制就主要体现在计算速度、存储速度和传输速度的不相匹配。

 

“我们假设，房间A已经打包了100份数据，却只有几十份数据能被即时传输出去；又或是房间A已经打包完100份，房间B才刚刚开始存储接收到的前几十份数据，这两种情况都会对数据的处理带来很大限制。”周鹏补充。

 

存算一体、原位存储的物理架构突破了冯诺依曼架构的限制。在这一架构中，只需要“一个房间”就可实现计算和存储的功能。“房间”内分层工作，第一层负责计算，第二层负责存储，两个表层在垂直空间上形成堆叠。周鹏打比方：“就像两张纸摞在一起，它们在空间上是堆叠着的，数据的计算和存储只是在原地被相对抬高了一些而已。”计算层的沟道电流可以影响到存储层，从而摆脱传输环节，实现原位存储。

 

充分利用新材料特性，独辟蹊径继续延展摩尔定律

 

使用钢铁制造轮船、使用硅晶体制造芯片，人类在漫长历史中使用材料的本征属性来改造自然界。但周鹏发现，迄今的原子晶体电子器件研究工作仍然是用新材料模仿旧架构，无法真正发挥其优异的物理本质特性。

 

为走出窠臼，在着手该项研究的过程中，从材料本质优势出发设计新器件成为了团队的重要出发点。最终，正是超薄、表面无悬挂键等硫化钼特性的充分发挥，帮助其另辟蹊径地实现了集成电路逻辑结构上的革新，开拓了二维材料集成电路应用的新世界。

 

据周鹏介绍，团队对该工作的研究兴趣源自于目前国家发展对集成电路的重大需求，以及学界业界对延展摩尔定律（英特尔联合创始人戈登·摩尔曾提出集成电路上可容纳的元器件的数量每隔18至24个月就会增加一倍，性能也将提升一倍）、降低集成电路成本的尝试。单晶体管逻辑结构如果得以继续推进、应用于规模化生产，将推动集成电路往更轻、更快、更小、功耗更低的方向发展，促进集成电路产业的发展。“到那时，人们使用的手机、电脑等设备可能将更轻便、待机时间更长。”周鹏十分看好这一研究成果的发展前景，他表示，团队未来将探讨如何进一步突破冯诺依曼架构的限制。